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台积电与ARM展示业界首款7纳米ARM核心CoWoS小芯片系

发布时间: 2019-11-30 17:51:57    热度: 4086

平西太平洋9月28日讯——据美国有线电视新闻网(cnbeta)报道,arm和领先的晶圆代工公司TSMC于26日联合宣布,该行业首款7纳米小芯片系统采用TSMC先进的cowos封装解决方案,内置arm多核处理器,并经过硅片验证。

TSMC表示,这一概念验证的小芯片系统成功展示了在7纳米finfet工艺和4ghz arm内核支持下构建高性能片上系统(soc)的关键技术。同时,还向系统单片机设计人员展示了芯片内置的4千兆赫双向跨核网状互连功能,以及在TSMC cowos内插器上以8gb/s速度互连小芯片的设计方法。

TSMC进一步指出,与传统的系统单芯片不同,在传统的系统单芯片中,集成系统的每个组件都放置在单个裸芯片上,分散到较小的小芯片设计中的大尺寸多核设计可以更好地支持当今的高性能计算处理器。

小芯片必须能够通过密集、高速和高带宽连接相互通信,以确保最佳性能水平。为克服这一挑战,该小芯片系统采用TSMC开发的独特低压封装连接(LIPIINCONTM)技术,数据传输速率为8gb/s/引脚,功率效率优异。

此外,该小芯片系统建立在cowos内插器上,由两个7纳米的小芯片组成。每个小芯片包括四个arm cortex-a72处理器和一个内置的跨核心网状互连总线。小芯片互连的功耗优势为0.56pj/bit,带宽密度为1.6tb/s/mm2,0.3v lipincon接口速度为8gt/s,带宽速率为320 Gb/s,该小芯片系统于2018年12月完成产品设计,并于2019年4月成功生产。

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